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汕头博飞检测技术有限公司(SPG)
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RoHS2.0的豁免清单

发布日期: 2014.03.18
 RoHS2.0的豁免清单(指令附件III)延续了RoHS 1.0的豁免清单内容,与之前类似,若部分禁用的材料在目前尚未有合适的替代品时,在一定的范围内其将获得豁免
 
1. 清单列表
     截至2013年7月29日,附件III中的豁免清单如下表所示。 
编号 豁免 豁免时间
1 紧凑型荧光灯中的汞含量不超过:  
1(a) 普通照明用<30 W:5 mg 至2011年12月31日;小于3.5 mg可再延至2012年12月31日,2.5 mg在2012年12月31日后仍可使用
1(b) 普通照明用≥30 W且<50 W:5 mg 至2011年12月31日;小于3.5 mg在2011年12月31日后仍可使用
1(c) 普通照明用≥50 W且<150 W:5 mg  
1(d) 普通照明用≥150 W:15 mg  
1(e) 普通照明用,且为环状或方形,管直径≤17 mm 直至2011年12月31日前无限制;7 mg可能能在2011年12月31日后使用
1(f) 特殊用途:5 mg  
2(a) 普通照明用的双端线性荧光灯中的汞含量不超过:  
2(a)(1) 普通寿命的三基色荧光灯<9 mm (如T2): 5 mg 直至2011年12月31日;4 mg可能在2011年12月31日
2(a)(2) 普通寿命的三基色荧光灯≥ 9 mm 和≤17 mm (e.g. T5): 5 mg 直至2011年12月31日;3 mg可能在2011年12月31日
2(a)(3) 普通寿命的三基色荧光灯> 17 mm 和≤28 mm (e.g. T8) : 5 mg 直至2011年12月31日;3.5 mg可能在2011年12月31日
2(a)(4) 普通寿命的三基色荧光灯>28 mm(如T12) : 5 mg 直至2011年12月31日;3.5 mg可能在2012年12月31日
2(a)(5) 长寿命(≥25000 h)的三基色荧光灯:8 mg 直至2011年12月31日;5 mg可能在2011年12月31日
2(b) 其他荧光灯中的汞不超过(每灯管):  
2(b)(1) 线形磷酸盐灯>28 mm(如T10和T12) : 10 mg 直至2012年4月13日
2(b)(2) 非线形磷酸盐灯(所有尺寸):15 mg 直至2016年4月13日
2(b)(3) 非线形三基色灯,管直径>17 mm(如T9) 2011年12月31日前不受限制,15 mg可能在2011年12月31日后仍可使用
2(b)(4) 其他普通照明用灯及特殊用灯(如感应灯) 2011年12月31日前不受限制,15 mg可能在2011年12月31日后使用
3 特殊用途的冷阴极荧光灯和外部电极荧光灯(CCFL和EEFL)中的汞不超过:  
3(a) 短(≤500 mm) 2011年12月31日前不受限制,3.5 mg可能在2011年12月31日后仍可使用
3(b) 中等长度(>500 mm且≤1500 mm) 2011年12月31日前不受限制,5 mg可能在2011年12月31日后使用
3(c) 长(>1500 mm) 2011年12月31日前不受限制,13 mg可能在2011年12月31日后仍可使用
4(a) 其他低压放电灯的汞 2011年12月31日前不受限制,15 mg可能在2011年12月31日后仍可使用
4(b) 普通照明用高压钠(蒸汽)灯(改进的显色指数Ra>60)的汞  
4(b)-I P≤155 W 2011年12月31日前不受限制,30 mg可能在2011年12月31日后仍可使用
4(b)-II 155 W<P≤405 W 2011年12月31日前不受限制,40 mg可能在2011年12月31日后仍可使用
4(b)-III P>405 W 2011年12月31日前不受限制,40 mg可能在2011年12月31日后仍可使用
4(c) 其他普通照明用高压钠(蒸汽)灯的汞  
4(c)-I P≤155 W 2011年12月31日前不受限制,25 mg可能在2011年12月31日后仍可使用
4(c)-II 155 W<P≤405 W 2011年12月31日前不受限制,30 mg可能在2011年12月31日后使用
4(c)-III P>405 W 2011年12月31日前不受限制,40 mg可能在2011年12月31日后仍可使用
4(d) 高压汞(蒸汽)灯(HPMV)的汞 直至2015年4月13日
4(e) 金属卤化灯(MH)的汞  
4(f) 本附件未提及的特殊用途的放电灯中的汞  
5(a) 阴极射线管玻璃中的铅  
5(b) 荧光管玻璃的铅含量不得超过其重量的0.2%  
6(a) 加工用的钢中合金元素中的铅及镀锌钢材中的铅含量不应该超过0.35%  
6(b) 铝合金中铅含量不应该超过0.4%  
6(c) 铜合金中的铅含量不应该超过4%  
7(a) 高温融化的焊料中的铅(即:锡铅焊料合金中铅含量超过85%的)  
7(b) 通讯领域的交换、信令、传输以及网络管理的服务器、存储器、存储器阵列系统、网络基础设施用的焊料中的铅  
7(c)-I 含有铅的玻璃或陶瓷的电气和电子元件,介质陶瓷电容器除外。如:高压设备,或玻璃或陶瓷基复合材料  
7(c)-II 额定电压为125 V AC或250 V DC及更高的介质陶瓷电容器中的铅  
7(c)-III 额定电压小于125 V AC或250 V DC的介质陶瓷电容器中的铅 豁免至2013年1月1日,在该日期之后可能单独作为电子电气产品(在2013年1月1前投放市场)的部件
7(c)-IV 电容器的电陶瓷材料PZT中的铅,该电容器是集成电路或分离半导体的组成部分 豁免至2016年7月21日
8(a) 热镕断体中的镉及镉化合物 豁免至2012年1月1日,在该日期之后可能单独作为电子电气产品(在2012年1月1前投放市场)的部件
8(b) 电气连接的触点中的镉及化合物  
9 在吸收式电冰箱中作为碳钢冷却系统防腐剂的六价铬,其在冷却液中超过了0.75%(重量百分比)  
9(b) 用于加热、通风、空调和制冷(HVACR)的冰箱零部件的轴承外壳及其轴衬中铅的使用  
11(a) C-顺应针连接器系统中使用的铅 可能单独作为电子电气产品(在2010年9月24日前投放市场)的部件
11(b) 除C-顺应针连接器系统外使用的铅 豁免至2013年1月1日,在该日期之后可能单独作为电子电气产品(在2013年1月1前投放市场)的部件
12 用于C-环型导热模块的表面涂层中的铅 可能单独作为电子电气产品(在2010年9月24日前投放市场)的部件
13(a) 光学仪器中使用的白玻璃中的铅  
13(b) 在光学玻璃和滤光玻璃中的铅或镉  
14 用于微处理器的封装体与插针之间连接的铅含量占80%~85%的、含两种以上元素的焊料中的铅 豁免至2011年1月1日,在该日期之后可能单独作为电子电气产品(在2011年1月1前投放市场)的部件
15 用于集成电路Flip Chip包之内连接半导体模块和载波器的焊料中的铅  
16 线形白炽灯硅酸盐灯管中的铅 至2013年9月1日
17 用于专业复印设备的高强度放电灯(HID)中用作辐射剂的卤化铅  
18(a) 当放电灯被用作重氮复印、平板印刷、捕虫器、光化学和食物加工过程的特种灯,含有磷时,比如SMS((Sr,Ba)2MgSi2O7:Pb),作为放电灯中的荧光粉(铅含量占其重量的1%或以下)触媒剂的铅 至2011年1月1日
18(b) 当放电灯被用作含磷的仿日晒灯(sun tanning lamps),比如含有BSP(BaSi2O5:Pb),作为放电灯中的荧光粉(铅含量占其重量的1%或以下)触媒剂的铅  
19 作为主要汞合金的特定成分中的含PbBiSn-Hg和PbInSg-Hg的铅以及紧凑型节能灯(ESL)中作为辅助汞合金的含PbSn-Hg的铅 至2011年6月1日
20 液晶显示器(LCDs)的平面荧光灯前后基片连接用的玻璃中的氧化铅 至2011年6月1日
21 用于硼硅酸盐玻璃瓷漆的印墨所含的铅及镉  
23 小螺距零部件表面抛光中的铅,螺距不超过0.65mm 可能单独作为电子电气产品(在2011年9月24前投放市场)的部件
24 通孔盘状及平面阵列陶瓷多层电容器焊料所含的铅  
25 表面传导式电子发射显示器(SED)的构件,特别是熔接密封和环状玻璃,所用的氧化铅  
26 蓝黑灯管(BLB)玻璃外罩所含的氧化铅 至2011年6月1日
27 在大功率扬声器中作为转换器焊料的铅合金 至2010年9月24日
29 理事会指令69/493/EEC附录I(第1、2、3和4类)中定义的水晶玻璃中的铅  
30 直接位于声压级大于等于100 dB (A)的高功率扬声器的传感器音圈的导电体的镉合金电器/机械焊点  
31 无汞平面荧光灯(例如用于液晶显示器、设计或工业照明)的焊接材料的铅  
32 用于为氩气和氪激光管制造窗口组件的密封熔块的氧化铅  
33 电力变压器中直径100微米及以下细铜线所用焊料中的铅  
34 金属陶瓷质的微调电位计中的铅  
36 直流等离子显示器中阴极溅射抑制剂中的汞,其含量不得超过30毫克/显示器 至2010年7月1日止
37 以硼酸锌玻璃体为基础的高压二极管的电镀层的铅  
38 用氧化铍连接铝制成的厚膜浆料中镉和氧化镉  
39 用于固态照明或显示系统中的彩色转换II-VI族LEDs内所含的镉(每平方毫米发光区域的镉小于10微克) 至2014年7月1日
40 专业的音频设备中使用的模拟光耦合器中的光敏电阻器中的镉 豁免至2013年12月31日
 
 
2. 修订情况
    (1) 指令2012/50/EU
    2012年12月18日,欧盟发布了指令2012/50/EU,对新RoHS指令的附件III进行修订,修订的内容为添入7(c)-IV,如下表所示。
7(c)-IV 电容器的电陶瓷材料PZT中的铅,该电容器是集成电路或分离半导体的组成部分 豁免至2016年7月21日
 
    (2) 指令2012/51/EU
    2012年12月18日,欧盟发布了指令2012/51/EU,对RoHS指令的附件III进行修订,修订的内容为添入第40项,如下表所示。
40 专业的音频设备中使用的模拟光耦合器中的光敏电阻器中的镉 豁免至2013年12月31日
 
 

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